بحث حول الإنديوم

تاريخ الميلاد : 20/05/1993

الإنديوم

الإنديوم indium عنصر معدني طري قابل للخدش بالظفر، يقع في الفصيلة IIIa، وفي الدور الخامس من الجدول الدوري للعناصر. رمزه الكيمياوي In، وعدده الذري 49، ووزنه الذري 114.76. اكتشفه العالمان رايخ Reich وريختر Richter عام 1863 في أثناء فحصهما تراب فلز الزنك براسم الطيف. ودعي باسمه هذا اشتقاقاً من Indigo أي النيلة، لأن فحصه بالمطياف أظهر شعاعات زرقاء جميلة. تتلخص خواص الإنديوم الفيزيائية فيما يلي:

إلكترونات التكافؤ الخارجية: 5S2 5P1

نصف القطر الذري [أنغستروم]: 1.66

نصف القطر الشاردي [أنغستروم]: 0.81

الكثافة [غ/سم3]:7.31

درجة الانصهار [سْ] Cْ 156.17

درجة الغليان [س[ Cْ 2000

حرارة التبخر [حرة/ جزيء غرامي]: 53.7

كمونات (التأين) [إلكترون فلط]: الأول 5.785، الثاني 18.86، الثالث 28.03

يستحصل الإنديوم من بقايا نواتج تصنيع الزنك، باستخلاصه من هذه البقايا بوساطة حمض. ثم تفصل الشوائب العنصرية المرافقة، كالزنك والكْدميوم والألمنيوم والزرنيخ والأنتيمون كيمياوياً، وأخيراً ينقى الإنديوم بالتحليل الكهربائي لملحه.

مركباته

لا يتأثر الإنديوم بأكسجين الهواء بالدرجة العادية من الحرارة لكنه يحترق بلهب أزرق بتسخينه إلى درجة الحرارة الحمراء مكوناً أكسيد الأنديوم In2O3، وينحل الإنديوم في الحموض المعدنية ولا يتأثر بهدركسيد البوتاسيوم أو الماء في حالة الغليان. يكوّن الإنديوم مع الكلور: كلوريد الإنديوم الأحادي InCl، وكلوريد الإنديوم الثنائي InCl2 ، وكلوريد الإنديوم الثلاثي InCl3، وكذلك الحال مع الفلوريدات والبروميدات واليوديدات وللإنديوم أربعة أكاسيد هي: In2O، InO، In2O3، In3O4، ويُعد الأكسيد الأخير مزيجاً من InO وIn2O3، وأكثر هذه الأكاسيد ثباتاً وشيوعاً هو أكسيد الإنديوم In2O3 الأصفر الشاحب اللون في الحالة الباردة والبني الأحمر اللون في الحالة الساخنة.

ومن أملاح الإنديوم أيضاً كبريتات الإنديوم In2(SO4)3 (وهو مادة صلبة بيضاء سهلة الانحلال في الماء)، ونترات الإنديوم المائية In(NO3)33H2O التي تفقد بتسخينها في الدرجة 100سْ جزيئين من الماء معطية نترات أحادية الماء قابلة للانحلال جداً في الماء.

استعمالاته

للإنديوم تطبيقات صناعية مهمة في التقنية الإلكترونية فهو يستعمل في تنشيط أنصاف النواقل وفي تكوين السبائك الخليطة مع عدد كبير من العناصر المنخفضة درجة الانصهار.

محمد علي المنجد

تاريخ الميلاد : 27/11/1999